Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (2) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Vasyltsiv V$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 2 Представлено документи з 1 до 2 |
|||
| 1. | 
Luchechko A. Thermally Stimulated Luminescence and Conductivity of β-Ga2O3 Crystals [Електронний ресурс] / A. Luchechko, V. Vasyltsiv, L. Kostyk, O. Tsvetkova, B. Pavlyk // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 3. - С. 03035-1-03035-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_3_37 Розглянуто термостимульовану люмінесценцію (ТСЛ) та термостимульовану провідність (ТСП) нелегованих монокристалів <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3 }>. Досліджувані зразки являли собою монокристали <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3 }>, вирощені за допомогою методу оптичної зони плавки, які потім піддавали відпалу в атмосфері кисню або аргону. Одержані спектри фотолюмінесценції є типовими для монокристалів <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3 }>: вони містять широку смугу випромінювання матриці за 320 - 550 нм, а також слабку люмінесценцію з максимумом за 700 нм, приписану ненавмисно введеній домішці Cr<^>3+ | ||
| 2. |
Vasyltsiv V. Microdefects and Electrical Properties of β-Ga2O3 and β-Ga2O3:Mg Crystals Grown by Floating Zone Technique [Електронний ресурс] / V. Vasyltsiv, L. Kostyk, O. Tsvetkova, M. Kushlyk, D. Slobodzyan, R. Diduk, B. Pavlyk, A. Luchechko // Journal of nano- and electronic physics. - 2022. - Vol. 14, no. 5. - С. 05005-1-05005-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2022_14_5_7 Досліджено мікродефекти в монокристалах <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O} sub 3> і <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O} sub 3> : 0,1 % Mg, вирощених за методом оптичної зонної плавки з радіаційним нагріванням. На поверхні (100) та в об'ємі нелегованих кристалів <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O} sub 3> виявлено пористі дефекти трубоподібної форми. Такі дефекти мають діаметр до 1 мкм і довжину до 100 мкм, витягнуті по осі [010]. Легування оксиду галію іонами магнію призводить до зменшення концентрації дефектів та зміни їх форми. Розраховано концентрацію та рухливість носіїв електричного заряду в нелегованих у <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O} sub 3> кристалах. Оцінено енергії активації провідності досліджуваних кристалів. Виявлено та обговорено певні кореляції між умовами вирощування кристалів, легуванням і швидкістю випаровування Ga | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |